W jednym z ostatnich artykułów (artykuł numer 2100328 w czasopiśmie Advanced Materials Interfaces), który został wyróżniony na wewnętrznej okładce powyższego czasopisma (ang. front inside cover) grupa Prof. Roberta Szoszkiewicza (S. Sokołowski, A. Mierzwa, U. Ukegbu, R. Szoszkiewicz) wspólnie z dr Maciejem Rogalą z Uniwersytetu Łódzkiego przeprowadzili lokalną detekcję chemiczną produktów utleniania termicznego dominujących na powierzchniach cienkich mikroskopowych płatków MoS2. Za pomocą metod mikroskopii sił atomowych (ang. AFM), a także lokalnej spektroskopii fotoelektronów (ang. XPS), jak i rentgenowskiej spektroskopii absorpcyjnej (ang. XAS), Autorzy pokazali, iż już w reżimie trawienia oksydacyjnego kryształów MoS2 zachodzącego w temperaturach 350 – 370 °C pojawiają się głównie klastry (MoO3)n (n>0).
Wyniki te mają znaczenie dla rozwoju współczesnej nanoelektroniki opartej o dichalkogenki metali przejściowych (takie jak MoS2) na giętkich materiałach, gdyż w/w klastry MoO3 mogą nie tylko powodować degradację tranzystorów opartych na pojedynczych płatkach MoS2, ale i również prawdopodobnie zmieniać ich właściwości przewodnictwa elektronowego wskutek kreacji lokalnych złącz p-n tj. MoO3-MoS2, co jest przedmiotem dalszych i aktualnych badań grupy Prof. Szoszkiewicza.
Powyższe badania zostały sfinansowane przez Narodowe Centrum Nauki, grant Opus 14 nr 2017/27/B/ST4/00697 (kierownik: RSz), a także grant dostępowy Rapid-Access do stacji PEEM-XAS Synchrotronu Solaris w Krakowie, grant nr 201909 (kierownik: RSz) wraz z czasem naukowców obsługujących powyższą stację.
